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东北农业大学网络教育学院
电子技术II本科网上作业题
半导体器件
一、 判断题
1．晶体管由两个PN结组成，所以能用两个二极管反向连接起来充当晶体管使用。( )
2．因为晶体管发射区的杂质浓度比基区的杂质浓度小得多，所以能用两个二极管反向连接起来代替晶体管。( )
3．二极管加反向电压时，反向电流很小，所以晶体管的集电结加反向电压时，集电极电流必然很小。( )
4．N型半导体的多数载流子是电子，因此N型半导体带负电。( )
5．二极管是根据PN结单向导电的特性制成的，因此二极管也具有单向导电性。( )
6．当二极管加反向电压时，二极管将有很小的反向电流通过，这个反向电流是由P型和N型半导体中少数载流子的漂移运动形成的。( )
7．二极管的电流—电压关系特性可大概理解为反向导通、正向截止的特性。( )
8．若晶体管发射结处于正向偏置，则其一定处于截止状态。( )
9．空穴和自由电子一样，都是载流子。( )
10．在外电场作用下，半导体中会同时出现电子电流和空穴电流。( )
11．常温下，硅晶体管的UBE＝0．7V，且随温度升高UBE增加。( )
12．稳压二极管的稳定电流是指稳压管工作时允许通过的最大电流。超出此值，稳压管将损坏。( )
13．P型半导体是在本征半导体中，加入少量的五价元素构成的杂质半导体。( )
14．在N型半导体中，自由电子的数目比空穴数目多得多，故自由电子称为多数载流子，空穴称为少数载流子。( )
15．在P型半导体中，多数载流子是电子，少数载流子是空穴。( )
16．当外加反向电压增加时，PN结的结电容减小。( )
17．一般来说，硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压。( )
18．晶体管的基区之所以做得很薄，是为了减少电子和空穴在基区的复合机会，从而使由发射区进入基区的载流子，绝大部分能进入集电区而形成较大的集电极电流。( )
19．当外加电压为零时，PN结的结电容最小。( )
20．当反向电压小于反向击穿电压时．二极管的反向电流极小；当反向电压大于反向击穿电压后，其反向电流迅速增大。( )
21．工作在导通状态下的二极管，其静态电阻是固定不变的，但动态电阻则随工作点的变化而变化。( )
22．晶体管的环境温度不变，其输入电阻和放大倍数是固定不变的。( )
23．当晶体管的工作电流小于集电极最大允许电流，且UCE小于BUCEO时，晶体管就能安全工作。( )
24．二极管的正向特性曲线较陡，因此能起到稳压作用。( )
25．二极管电压—电流曲线描绘出了电流随时间变化的关系。( )
26．当加在二极管两端的电压一定时，流经二极管的反向电流还会随环境温度的改变而改变。( )
27．基极开路、集电极和发射极之间加有一定电压时的集电极电流，叫晶体管的穿透电流。( )
28．无论是哪种类型的晶体管，当工作于放大区时，B极电位总是高于E极电位，C极电位也总是高于B极电位。( )
29．一般说来，晶体管的交流电流放大系数β随温度的变化而变化，温度升高，则β增大。( )
30．稳压二极管的动态电阻是指稳压管的稳定电压与额定工作电流之比。（ ）
31．晶体管的直流输入电阻和交流输入电阻与工作点有关，IB愈小，输入电阻愈小。( )
32．晶体管的发射区和集电区是由同一种杂质半导体(N型的或P型的)构成，故E极和C极可以互换使用。( )
33．晶体管的直流输入电阻和交流输入电阻都和工作温度有关，温度升高，RBE、rbe都减小。( )
34．晶体管的穿透电流ICEO是由多数载流子产生的，其大小不随温度而变化。( )
二、 选择题
1．当PN结两端加正向电压时，在PN结内参加导电的是( )。
A．多数载流子 B．少数载流子C．既有多数载流子又有少数载流子
2．如果二极管的正、反向电阻都很小或为零，则该二极管( )。
A．正常 B．已被击穿 C．内部断路
3．当晶体管的两个PN结都反偏时，则晶体管处于( )。
A．饱和状态 B．放大状态 C．截止状态
4．当晶体管的发射结正偏，集电结反偏时，则晶体管处于( )。
A．饱和状态 B．放大状态 C．截止状态
5．晶体管处于饱和状态时，它的集电极电流将( )。
A．随基极电流的增加而增加 B．随基极电流的增加而减小C．与基极电流变化无关，只决定于Ucc和Rc
6．NPN型硅晶体管各电极对地电位分别为Uc＝9V，UB＝0．7V，UE＝0V，则该晶体管的工作状态是( )
A．饱和 B．正常放大 C．截止
7．当环境温度升高时，半导体的电阻将( )。
A．增大 B．减小 C．不变
8．二极管的正极电位是—20V，负极电位是—10V，则该二极管处于( )。
A．反偏 B．正偏 C．不变
9．在二极管特性的正向导通区，二极管相当于( )。
A．大电阻 B．接通的开关 C．断开的开关
10．用直流电压表测量处于放大状态中的一只NPN型晶体管，各电极对地的电位分别是：U1＝2V，U2＝6V，U3＝2．7V，则该晶体管各脚的名称是( )。
A．1脚为C，2脚为B，3脚为E
B．1脚为E，2脚为C，3脚为B
C．1脚为B，2脚为E，3脚为C
A．饱和状态 B．放大状态 C．截止状态
11．点接触型二极管比较适用于( )
A．大功率整流 B．小信号检波 C．大电流开关
12．面接触型二极管比较适用于( )。
A．大功率整流 B．高频检波 C．小电流开关
13．如果半导体中的自由电子和空穴的数目相等，这样的半导体称为( )半导体。
A．N型 B．P型 C．本征
14．当硅二极管加上0.4V正向电压时，该二极管相当于( )。
A．很小的电阻 B．很大的电阻 C．短路
15．二极管因所加过高反向电压而击穿、烧毁的现象称为( )。
A．齐纳击穿 B．雪崩击穿 C．热击穿
16．对PN结加反偏电压时，参与导电的是( )。
A．多数载流子 B．少数载流子 C．既有多数载流子，也有少数载流子
17．载流子从浓度大的地方向浓度小的地方运动称为( )。
A．漂移运动 B．扩散运动
18．两个稳压值分别是8V、7.5V的稳压管用不同的方式串联起来，最多可得到的稳压值是( )。
A．二种 B．三种 C．四种 D．五种
19．NPN型和PNP型晶体管的区别是( )。
A．由两种不同的材料硅和锗制成 B．掺入的杂质不同
C．P区和N区的位置不同 D．电流放大倍数不同
20．场效应管是通过改变( )来控制漏极电流的。
A．栅极电流 B．栅源电压 C．源极电压 D．源极电流
21．二极管中电流( )，晶体管中从C极到E极的电流( )，场效应管的漏极电流( )。
A．穿过两个PN结 B．穿过一个PN结 C．不穿过PN结 D．穿过三个PN结
22．用万用表红表笔“十”接触某正品晶体管的一只管脚，黑表笔“—”分别接触另两只管脚时，测得的电阻均较小，则说明该晶体管是( )。
A．NPN型 B．PNP型 C．不能确定
A．本征半导体 B．N型半导体 C．P型半导体
23．在掺杂半导体中多数载流子的浓度取决于( )。
A．温度 B．杂质浓度 C．原本征半导体的纯度
24．PN结加上反向电压时，其PN结的宽度(或空间电荷区)会( )。
A．变窄 B．变宽 C．不变
25．用万用表欧姆挡测试二极管的正、反向电阻时，如果用手捏紧测试笔和管子引线的接触处，这种测试方法引起显著误差的是( )。
A．正向电阻 B．反向电阻 C．正、反向电阻误差同样显著 D．无法判断
26．使用晶体管时，下列哪些额定值不能超过?( )
A．电流放大系数β B．反向饱和电流ICBO C．反向击穿电压B UCEO D．耗散功率PCM
三、 填空题
1．半导体是一种导电能力介于（ ）与（ ）之间的物质。
2．N型半导体主要靠（ ）来导电， P型半导体主要靠（ ） 来导电。
3．PN结具有 （ ） 性能，即加正向电压时，形成的正向电流 （ ）；加反向电压时，形成的反向电流 （ ） 。
4．PN结的正向接法是P型区接电源的（）极，N型区接电源的（ ）极。
5．二极管的电压—电流关系可简单理解为（ ）导通，（ ）截止的特性。导通后，硅管管压降约为（ ），锗管管压降约为 （ ） 。
6．N型半导体中的多数载流子是 （ ） ，少数载流子是（ ）。
7．晶体管的三个电极分别称为 （ ） 极、（ ） 极和（ ）极，它们分别用字母（ ）、（ ）和（ ）来表示。
8．为了使晶体管正常工作在放大状态，发射结必须加（ ）电压，集电结必须加（ ） 电压。
9．晶体管是由两个PN结构成的一种半导体器件，其中一个PN结叫做 （ ） ，另一个叫做（ ）。
10．晶体管有 （ ） 型和（ ） 型两种，硅管以 （ ） 型居多，锗管以 （ ） 型居多。
11．晶体管具有电流放大作用的外部条件是：（ ）结正向偏置；（ ） 结反向偏置。
12．晶体管发射极电流IE、基极电流IB和集电极电流IC之间的关系是（ ）。ΔIC／ΔIB叫做（ ），用字母（ ）表示。
13．硅晶体管的饱和电压降为（ ），锗晶体管的饱和电压降为（ ）。
14．硅晶体管发射结的导通电压约为（ ），锗晶体管发射结的导通电压约为 （ ） 。
15．当晶体管截止时，它的发射结必须是（ ）偏置或（ ）偏置。
16．当晶体管的UCE一定时，基极与发射极间的电压UBE与基极电流IB之间的关系曲线称为 （ ）曲线；当基极电流IB一定时，集电极与发射极间的电压UCE与集电极电流IC的关系曲线称为 （ ）曲线。
17．晶体管的电流放大系数太小时，电流放大作用将 （ ）；而电流放大系数太大时，又会使晶体管的性能 （ ）。
18．晶体管被当作放大元件使用时，要求其工作在（ ）状态，而被当作开关元件使用时，要求其工作在（ ）状态和（ ）状态。
19．在判别锗、硅二极管时，当测出正向压降为（ ）时，将认为此二极管为锗二极管；当测出正向压降为（ ）时，将认为此二极管为硅二极管。
20．NPN型晶体管的发射区是 （ ）型半导体，集电区是（ ）型半导体，基区是 （ ）型半导体。
21．有一个晶体管继电器电路，其晶体管集电极与继电器的吸引线圈相串联，继电器的动作电流为6mA。若晶体管的电流放大系数β＝50，要使继电器开始动作，晶体管的基极电流至少应为（ ）。
22．2AP系列二极管是由（ ）材料做成的，其工作温度较（ ）；2CP、2CZ系列二极管是由（ ）材料做成的，其工作温度较（ ）。
23．晶体管的输入特性曲线和二极管的（ ）关系特性相似，晶体管的输入特性的重要参数是交流输入电阻，它是（ ）和（ ）的比值。
24．当加到二极管上的反向电压增大到一定数值时，反向电流会突然增大，此现象被叫做（ ）现象。
25．二极管的直流电阻(即静态电阻)定义表达式为（ ），如果工作点上移，直流电阻值将（ ）。
26．二极管的交流电阻(即动态电阻)定义表达式为（ ），如果工作点改变，交流电阻值（ ） 。
27．晶体管的穿透电流ICEO是在基极开路时，由（ ）流向（ ）的电流。它是由—（ ）产生的，随温度的增高（ ）。
28． 晶体管的集电极发射极击穿电压BUCEO是指基极开路时（ ）的（ ）允许电压值，BUCEO随温度的增高（ ）。
29．晶体管的集电极最大允许电流UCM是指β下降到（ ）值的（ ）时的IC值，它是晶体管工作电流的上限。
30．在半导体中，自由电子带 （ ）电，空穴带 （ ）电。
31．反向电压引起反向电流急增时的PN结处于（ ）状态，该状态是（ ）二极管的稳压工作状态。
32．使晶体管处于放大状态的偏置状况是：（ ）结正偏，（ ）结反偏。
33．使晶体管处于放大状态的偏置状况是：发射结正偏，集电结反偏。其特点是（ ）受（ ）的控制，且IC=（ ），具有（ ）输出特性。
34．场效应管的三个管脚分别称为（ ）、（ ）和（ ）。它的输入电阻（ ），这是晶体管与之无法比拟的特点。
35．场效应管中参与导电的载流子，只能是电子或空穴中的一种，NMOS管的载流子是（ ），PMOS管的载流子是（ ）。
四、 计算题
如图所示，设V为理想二极管，反向电流为零。试求：Iv、Uv。
2．某二极管的正向电压为1V时电流为40mA，这时二极管的直流内阻是多少?若又知道正向电压的变化为0．8V时的电流变化为20mA，则二极管的交流内阻是多少?
3．分别计算如图 (a)、(b)所示的电路电压UAB值(V为理想二极管)。
4．在如图所示电路中，V1、V2、V3均为理想二极管。A、B两端的等效电阻及RAB应为多少?
5．在晶体管放大电路中，测得IC＝2mA，IE＝2.02mA，求IB和β各为多少?
6．在如图所示电路中，已知VA＝2.3V，V1、V2为硅管，其管压降为0.7V，试估计VB等于几伏?UAB等于几伏?
7．如图所示电路中二极管为理想的，试判断二极管的工作状态并求VO。
五、 作图题
1．如图所示电路中，已知ui为幅值8V的正弦波，画出uo波形，其中二极管设为理想二极管。
2．如图所示电路中，已知ui为幅值8V的正弦波，画出uo波形，其中二极管设为理想二极管。
3．如图所示电路中，已知ui为幅值8V的正弦波，画出uo波形，其中二极管设为理想二极管。
4．如图为限幅电路，在其输入端加上幅值为10V的矩形波，试绘出输出端的波形。
5．如图所示电路中，交流信号为u＝10sinωt(V)，试画出电阻两端的电压波形。
6．试画出NPN型晶体管的内部结构示意图，并标明各引脚与两个PN结的名称。
单级交流放大电路
一、判断题
（1）只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用。（ ）
（2）放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的。（ ）
（3）电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的。（ ）
（4）放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。（ ）
（5）由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化。（ ）
二、分析与计算
1.试分析图中所示各电路是否能够放大正弦交流信号，简述理由。设图中所有电容对交流信号均可视为短路。
2.按要求填写下表。
电路名称
连接方式（e、c、b）
性能比较（大、中、小）
公共极
输入极
输出极
R i
R o
其它
共射电路
共集电路
共基电路
3.分别改正各电路中的错误，使它们有可能放大正弦波信号。要求保留电路原来的共射接法和耦合方式。
4. 电路如图（a）所示，图（b）是晶体管的输出特性，静态时UBEQ＝0.7V。利用图解法分别求出RL＝∞和RL＝3kΩ时的静态工作点和最大不失真输出电压Uom（有效值）。
5. 电路如图所示，已知晶体管(＝50，在下列情况下，用直流电压表测晶体管的集电极电位，应分别为多少？设VCC＝12V，晶体管饱和管压降UCES＝0.5V。
（1）正常情况 （2）Rb1短路 （3）Rb1开路
（4）Rb2开路 （5）RC短路
6.电路如图所示，晶体管的(＝80，=100Ω。分别计算RL＝∞和RL＝3kΩ时的Q点、、Ri 和Ro。
7. 已知所示电路中晶体管的( ＝100，rbe=1kΩ。
（1）现已测得静态管压降UCEQ＝6V，估算Rb约为多少千欧；
（2）若测得和的有效值分别为1mV和100mV，则负载电阻RL为多少千欧？
8. 在所示电路中，设静态时ICQ＝2mA，晶体管饱和管压降UCES＝0.6V。试问：当负载电阻RL＝∞和RL＝3kΩ时电路的最大不失真输出电压各为多少伏？
9. 电路如图所示，晶体管的(＝100，=100Ω。
（1）求电路的Q点、、Ri和Ro；
（2）若电容Ce开路，则将引起电路的哪些动态参数发生变化？如何变化？
10. 电路如图所示，晶体管的(＝80，rbe=1kΩ。
（1）求出Q点；
（2）分别求出RL＝∞和RL＝3kΩ时电路的和Ri；
（3）求出Ro。
11. 电路如图所示，晶体管的(＝60，=100Ω。
（1）求解Q点、、Ri和Ro；
（2）设＝10mV（有效值），问＝？＝？若C3开路，则＝？＝？
12. 已知图（a）所示电路中场效应管的转移特性如图（b）所示。求解电路的Q点和。
多级放大电路
一、判断。
（1）阻容耦合多级放大电路各级的Q点相互独立，它只能放大交流信号。( )
（2）互补输出级应采用共集或共漏接法。( )
（3）运放的输入失调电压UIO是两输入端电位之差。( )
（4）运放的共模抑制比 ( )
（5）有源负载可以增大放大电路的输出电流。( )
（6）在输入信号作用时，偏置电路改变了各放大管的动态电流。( )
（7）负反馈放大电路的放大倍数与组成它的基本放大电路的放大倍数量纲相同。（ ）
（8）若放大电路引入负反馈，则负载电阻变化时，输出电压基本不变。（ ）
（9）只要在放大电路中引入反馈，就一定能使其性能得到改善。（ ）
（10）放大电路的级数越多，引入的负反馈越强，电路的放大倍数也就越稳定。（ ）
（11）既然电流负反馈稳定输出电流，那么必然稳定输出电压。（ ）
（12）在功率放大电路中，输出功率愈大，功放管的功耗愈大。（ ）
（13）功率放大电路的最大输出功率是指在基本不失真情况下，负载上可能获得的最大交流功率。（ ）
（14）功率放大电路与电压放大电路的区别是前者比后者效率高。（ ）
二、选择
（1）选择合适电路组成两级放大电路，要求输入电阻大于10MΩ，电压放大倍数大于300，第一级应采用( )，第二级应采用( )。
A.共射电路 B.共集电路 C.共基电路 D.共源电路
（2）集成放大电路采用直接耦合方式的原因是( )。
A.便于设计 B.放大交流信号 C.不易制作大容量电容
（3）选用差分放大电路的原因是( )。
A.克服温漂 B. 提高输入电阻 C.稳定放入倍数
（4）用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻Re，将使电路的( )。
A.差模放大倍数数值增大 B.抑制共模信号能力增强 C.差模输入电阻增大
（5）互补输出级采用共集形式是为了使( )。
A.电压放大倍数大 B.不失真输出电压大 C.带负载能力强
（6）功率放大电路的最大输出功率是在输入电压为正弦波时，输出基本不失真情况下，负载上可能获得的最大( ) 。
A．交流功率 B．直流功率 C．平均功率
（7）在OCL乙类功放电路中，若最大输出功率为1W，则电路中功放管的集电极最大功耗约为( ) 。
A．1W B．0.5W C．0.2W
（8）在选择功放电路中的晶体管时，应当特别注意的参数有( ) 。
A．β B．ICM C．BUCEO D．PCM
（9）通用型集成运放适用于放大( )。
A．高频信号 B. 低频信号 C. 任何频率信号
（10）集成运放制造工艺使得同类半导体管的( )。
A. 指标参数准确 B. 参数不受温度影响 C．参数一致性好
（11）为增大电压放大倍数，集成运放的中间级多采用( )。
A．共射放大电路 B. 共集放大电路 C．共基放大电路
（12）欲得到电流－电压转换电路，应在放大电路中引入( ) 。
A．电压串联负反馈 B．电压并联负反馈 C．电流串联负反馈 D．电流并联负反馈
（13）欲从信号源获得更大的电流，并稳定输出电流，应在放大电路中引入( )。
A．电压串联负反馈 B．电压并联负反馈 C．电流串联负反馈 D．电流并联负反馈
（14）对于放大电路，所谓开环是指( )。
A．无信号源 B．无反馈通路 C．无电源 D．无负载
（15）直流负反馈是指( )。
A．直接耦合放大电路中所引入的负反馈 B．只有放大直流信号时才有的负反馈
C．在直流通路中的负反馈
（16）交流负反馈是指( )。
A．阻容耦合放大电路中所引入的负反馈 B．只有放大交流信号时才有的负反馈
C．在交流通路中的负反馈
三、分析与计算
1. 设图中所示各电路的静态工作点均合适，分别画出它们的交流等效电路，并写出、Ri和Ro的表达式。
2. 图中所示电路参数理想对称，β1＝β2＝β，rbe1＝rbe2＝rbe。
（1）写出RW的滑动端在中点时Ad的表达式；
（2）写出RW的滑动端在最右端时Ad的表达式，比较两个结果有什么不同。
3. 电路如图所示，T1管和T2管的β均为40，rbe均为3kΩ。试问：若输入直流信号uI1=20mv，uI2=10mv，则电路的共模输入电压uIC=？差模输入电压uId=？输出动态电压△uO=?
4. 电路如图所示，晶体管的β=50， =100Ω。
（1）计算静态时T1管和T2管的集电极电流和集电极电位；
（2）用直流表测得uO=2V，uI=？若uI=10mv，则uO=？
5. 电路如图所示，T1～T5的电流放大系数分别为β1～β5，b-e间动态电阻分别为rbe1～rbe5，写出、Ri和Ro的表达式。
6.电路如图所示。已知电压放大倍数为－100，输入电压uI为正弦波，T2和T3管的饱和压降｜UCES｜=1V。试问：
（1）在不失真的情况下，输入电压最大有效值Uimax为多少伏？
（2）若Ui＝10mv(有效值)，则Uo＝？若此时R3开路，则Uo=？若R3短路，则Uo=？
7. 电路如图所示，已知β1=β2=β3=100。各管的UBE均为0.7V，试求IC2的值。
8. 已知一个集成运放的开环差模增益Aod为100dB，最大输出电压峰-峰值Uopp＝±14V，分别计算差模输入电压uI（即uP－uN）为10μV、100μV、1mV、1V和－10μV、－100μV、－1mV、－1V时的输出电压uO。
9. 如图所示为多集电极晶体管构成的多路电流源。已知集电极C0与C1所接集电区的面积相同，C2所接集电区的面积是C0的两倍，ICO/IB= 4，e-b间电压约为0.7V。试求解IC1、IC2各为多少。
10. 电路如图所示，T管的低频跨导为gm，T1和T2管d-s间的动态电阻分别为rds1和rds2。试求解电压放大倍数Au=△uO/△uI的表达式。
11. 电路如图所示，T1与T2管的特性相同，所有晶体管的β均相同，Rc1远大于二极管的正向电阻。当uI1＝uI2＝0V时，uO＝0V。
（1）求解电压放大倍数的表达式；
（2）当有共模输入电压时，uO=？简述理由。
12. 在所示电路中，已知T1～T3管的特性完全相同，β＞＞2；反相输入端的输入电流为iI1，同相输入端的输入电流为iI2。试问：
（1）iC2≈?
（2）iB2≈?
（3）Aui=△uO/(iI1－iI2)≈？
13.所示电路是某集成运放电路的一部分，单电源供电，T1、T2、T3为放大管。试分析：
（1）100μA电流源的作用；
（2）T4的工作区域(截止、放大、饱和)；
（3）50μA电流源的作用；
（4）T5与R的作用
14.判断所示各电路中是否引入了反馈；若引入了反馈，则判断是正反馈还是负反馈；若引入了交流负反馈，则判断是哪种组态的负反馈，并求出反馈系数和深度负反馈条件下的电压放大倍数或。设图中所有电容对交流信号均可视为短路。
15. 电路如图所示，试说明电路引入的是共模负反馈，即反馈仅对共模信号起作用。
16. 已知一个电压串联负反馈放大电路的电压放大倍数Auf＝20，其基本放大电路的电压放大倍数Au的相对变化率为10％，Auf的相对变化率小于0.1％，试问F和Au各为多少？
17. 电路如图所示。试问：若以稳压管的稳定电压UZ作为输入电压，则当R2的滑动端位置变化时，输出电压UO的调节范围为多少？
18. 已知负反馈放大电路的 。
试分析：为了使放大电路能够稳定工作（即不产生自激振荡），反馈系数的上限值为多少？
19. 电路如图所示。
（1）试通过电阻引入合适的交流负反馈，使输入电压uI转换成稳定的输出电流iL；
（2）若uI＝0～5V时，iL＝0～10mA，则反馈电阻RF应取多少？
20. 在所示电路中，已知A为电流反馈型集成运放，试问：
（1）中频电压放大倍数；
（2）上限截止频率。
集成运算放大器的应用
一、判断。
（1）在运算电路中，集成运放的反相输入端均为虚地。（ ）
（2）凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。（ ）
（3）只要电路引入了正反馈，就一定会产生正弦波振荡。（ ）
（4）凡是振荡电路中的集成运放均工作在线性区。（ ）
（5）因为RC串并联选频网络作为反馈网络时的φF＝0°，单管共集放大电路的φA＝0°，满足正弦波振荡的相位条件φA＋φF＝2nπ（n为整数），故合理连接它们可以构成正弦波振荡电路。（ ）
（6）在LC正弦波振荡电路中，不用通用型集成运放作放大电路的原因是其上限截止频率太低。（ ）
（7）只要集成运放引入正反馈，就一定工作在非线性区。（ ）
（8）一般情况下，在电压比较器中，集成运放不是工作在开环状态，就是仅仅引入了正反馈。（ ）
（9）如果一个滞回比较器的两个阈值电压和一个窗口比较器的相同，那么当它们的输入电压相同时，它们的输出电压波形也相同。（ ）
（10）单限比较器比滞回比较器抗干扰能力强，而滞回比较器比单限比较器灵敏度高。（ ）
二、选择。
（1）欲实现Au＝－100的放大电路，应选用（ ） 。
A. 反相比例运算电路 B. 同相比例运算电路C. 积分运算电路 D. 微分运算电路
（2）欲将方波电压转换成三角波电压，应选用（ ） 。
A. 反相比例运算电路 B. 同相比例运算电路C. 积分运算电路 D. 微分运算电路
（3）制作频率为2 MHz～20MHz的接收机的本机振荡器，应选用（ ） 。
A. RC桥式正弦波振荡电路 B. LC正弦波振荡电路 C. 石英晶体正弦波振荡电路
（4）制作频率非常稳定的测试用信号源，应选用（ ）。
A. RC桥式正弦波振荡电路 B. LC正弦波振荡电路 C. 石英晶体正弦波振荡电路
（5）当信号频率f＝f0时，RC串并联网络呈（ ）。
A．容性 B．阻性 C．感性
三、填空
（1）已知输入信号的频率为10kHz～12kHz，为了防止干扰信号的混入，应选用（ ） 滤波电路 。
（2）为了获得输入电压中的低频信号，应选用（ ）滤波电路 。
（3）（ ） 运算电路可实现Au＞1的放大器。
（4）（ ） 运算电路可实现Au＜0的放大器。
（5）（ ） 运算电路可实现函数Y＝aX1＋bX2＋cX3，a、b和c均大于零。
（6）（ ） 运算电路可实现函数Y＝aX1＋bX2＋cX3，a、b和c均小于零。
四、分析与计算。
1. 已知所示电路中的集成运放均为理想运放，试求解电路的运算关系。
2. 电路如图所示，集成运放输出电压的最大幅值为±14V，填表。
uI/V
0.1
0.5
1.0
1.5
uO1/V
uO2/V
3. 设计一个比例运算电路， 要求输入电阻Ri＝20kΩ， 比例系数为－100。
4. 试求图所示各电路输出电压与输入电压的运算关系式。
5. 电路如图所示。
（1）写出uO与uI1、uI2的运算关系式；
（2）当RW的滑动端在最上端时，若uI1＝10mV，uI2＝20mV，则uO＝？
（3）若uO的最大幅值为±14V，输入电压最大值 uI1max＝10mV，uI2max
＝20mV，最小值均为0V，则为了保证集成运放工作在线性区，R2的最大值为多少？
6. 试分别求解各电路的运算关系。
7. 在所示电路中，已知R1＝R＝R'＝100kΩ，R2＝Rf＝100kΩ，C＝1μF。
（1）试求出uO与 uI的运算关系。
（2）设t＝0时uO＝0，且uI由零跃变为－1V，试求输出电压由零上升到＋6V所需要的时间。
8. 画出利用对数运算电路、指数运算电路和加减运算电路实现除法运算的原理框图。
9. 为了使所示电路实现除法运算，
（1）标出集成运放的同相输入端和反相输入端；
（2）求出uO和uI1、uI2的运算关系式。
10. 试说明所示各电路属于哪种类型的滤波电路，是几阶滤波电路。
11. 设一阶LPF和二阶HPF的通带放大倍数均为2，通带截止频率分别为2kHz和100Hz。试用它们构成一个带通滤波电路，并画出幅频特性。
12. 试分别求出所示各电路的电压传输特性。
13. 判断所示各电路是否可能产生正弦波振荡，简述理由。设图（b）中C4容量远大于其它三个电容的容量。
14. 电路如图所示，试求解：
（1）RW的下限值；
（2）振荡频率的调节范围。
15. 所示电路为正交正弦波振荡电路，它可产生频率相同的正弦信号和余弦信号。已知稳压管的稳定电压±UZ＝±6V，R1＝R2＝R3＝R4＝R5＝R，C1＝C2＝C。
（1）试分析电路为什么能够满足产生正弦波振荡的条件；
（2）求出电路的振荡频率；
（3）画出和的波形图，要求表示出它们的相位关系，并分别求出它们的峰值。
16. 试分别指出所示两电路中的选频网络、正反馈网络和负反馈网络，并说明电路是否满足正弦波振荡的相位条件。
17. 在所示电路中，已知R1＝10 kΩ，R2＝20 kΩ，C＝0.01μF，集成运放的最大输出电压幅值为±12V，二极管的动态电阻可忽略不计。
（1）求出电路的振荡周期；
（2）画出uO和uC的波形。
18. 电路如图所示，已知集成运放的最大输出电压幅值为±12V，UI的数值在uO1的峰峰值之间。
（1）求解uO3的占空比与UI的关系式；
（2）设UI＝2.5V，画出uO1、 uO2和 uO3的波形。
19. 试分析所示各电路输出电压与输入电压的函数关系。
20.电路如图所示。
（1）定性画出uO1和 uO的波形；
（2）估算振荡频率与uI的关系式。
直流稳压电源
一、判断题
(1) 直流电源是一种将正弦信号转换为直流信号的波形变换电路。（ ）
(2) 直流电源是一种能量转换电路，它将交流能量转换为直流能量。（ ）
（3）在变压器副边电压和负载电阻相同的情况下，桥式整流电路的输出电流是半波整流电路输出电流的2倍。（ ）
（4）若U2为电源变压器副边电压的有效值，则半波整流电容滤波电路和全波整流电容滤波电路在空载时的输出电压均为。（ ）
（5）当输入电压UI和负载电流IL变化时，稳压电路的输出电压是绝对不变的。（ ）
（6）一般情况下，开关型稳压电路比线性稳压电路效率高。（ ）
（7）整流电路可将正弦电压变为脉动的直流电压。（ ）
（8）电容滤波电路适用于小负载电流，而电感滤波电路适用于大负载电流。（ ）
（9）在单相桥式整流电容滤波电路中，若有一只整流管断开，输出电压平均值变为原来的一半。（ ）
（10）对于理想的稳压电路，△UO/△UI＝0，Ro＝0。（ ）
（11）线性直流电源中的调整管工作在放大状态，开关型直流电源中的调整管工作在开关状态。（ ）
（12）因为串联型稳压电路中引入了深度负反馈，因此也可能产生自激振荡。（ ）
（13）在稳压管稳压电路中，稳压管的最大稳定电流必须大于最大负载电流；（ ）
（14）在稳压管稳压电路中，其最大稳定电流与最小稳定电流之差应大于负载电流的变化范围。（ ）
二、选择题
（1）整流的目的是 。
A. 将交流变为直流 B. 将高频变为低频 C. 将正弦波变为方波
（2）在单相桥式整流电路中，若有一只整流管接反，则 。
A. 输出电压约为2UD B. 变为半波直流 C. 整流管将因电流过大而烧坏
（3）直流稳压电源中滤波电路的目的是 。
A. 将交流变为直流 B. 将高频变为低频
C. 将交、直流混合量中的交流成分滤掉
（4）滤波电路应选用 。
高通滤波电路 B. 低通滤波电路 C. 带通滤波电路
（5）若要组成输出电压可调、最大输出电流为3A的直流稳压电源，则应采用 。
A. 电容滤波稳压管稳压电路 B. 电感滤波稳压管稳压电路
C. 电容滤波串联型稳压电路 D. 电感滤波串联型稳压电路
（6）串联型稳压电路中的放大环节所放大的对象是 。
A. 基准电压 B. 采样电压 C. 基准电压与采样电压之差
（7）开关型直流电源比线性直流电源效率高的原因是 。
A. 调整管工作在开关状态 B. 输出端有LC滤波电路 C. 可以不用电源变压器
（8）在脉宽调制式串联型开关稳压电路中，为使输出电压增大，对调整管基极控制信号的要求是 。
A. 周期不变，占空比增大 B. 频率增大，占空比不变
C. 在一个周期内，高电平时间不变，周期增大
三、填空题
1、在下图所示电路中，调整管为 ，采样电路由 组成，基准电压电路由 组成， 比较放大电路由 组成， 保护电路由
组成；输出电压最小值的表达式为 ，最大值的表达式为 。
四、分析与计算题
1. 在下图所示稳压电路中，已知稳压管的稳定电压UZ为6V，最小稳定电流IZmin为5mA，最大稳定电流IZmax为40mA；输入电压UI为15V，波动范围为±10％；限流电阻R为200Ω。
（1）电路是否能空载？为什么？
（2）作为稳压电路的指标，负载电流IL的范围为多少？
2. 电路如图所示。合理连线，构成5V的直流电源。
3. 电路如图所示，变压器副边电压有效值为2U2。
（1）画出u2、uD1和uO的波形；
（2）求出输出电压平均值UO（AV）和输出电流平均值IL（AV）的表达式；
（3）二极管的平均电流ID（AV）和所承受的最大反向电压URmax的表达式。
4. 电路如图所示，变压器副边电压有效值U21＝50V，U22＝20V。试问：
（1）输出电压平均值UO1（AV）和UO2（AV）各为多少？
（2）各二极管承受的最大反向电压为多少？
5. 电路如图所示。
（1）分别标出uO1和uO2对地的极性；
（2）uO1、uO2分别是半波整流还是全波整流？
（3）当U21＝U22＝20V时，UO1（AV）和UO2（AV）各为多少？
（4）当U21＝18V，U22＝22V时，画出uO1、uO2的波形；并求出UO1（AV）和UO2（AV）各为多少？
6. 分别判断图中所示各电路能否作为滤波电路，简述理由。
7. 试在下图所示电路中，标出各电容两端电压的极性和数值，并分析负载电阻上能够获得几倍压的输出。
8. 电路如图所示，已知稳压管的稳定电压为6V，最小稳定电流为5mA，允许耗散功率为240mW；输入电压为20～24V，R1＝360Ω。试问：
（1）为保证空载时稳压管能够安全工作，R2应选多大？
（2）当R2按上面原则选定后，负载电阻允许的变化范围是多少？
9. 电路如图所示，已知稳压管的稳定电压UZ＝6V，晶体管的UBE＝0.7V，R1＝R2＝R3＝300Ω，UI＝24V。判断出现下列现象时，分别因为电路产生什么故障（即哪个元件开路或短路）。
（1）UO≈24V； （2）UO≈23.3V；
（3）UO≈12V且不可调；
（4）UO≈6V且不可调；
（5）UO可调范围变为6～12V。
10. 直流稳压电源如图所示。
（1）说明电路的整流电路、滤波电路、调整管、基准电压电路、比较放大电路、采样电路等部分各由哪些元件组成。
（2）标出集成运放的同相输入端和反相输入端。
写出输出电压的表达式。
11. 电路如图所示，设，晶体管T的，R1＝1Ω，R2＝2Ω，ID＞＞IB。求解负载电流IL与的关系式。
12. 在所示电路中，R1＝240Ω，R2＝3kΩ；W117输入端和输出端电压允许范围为3～40V，输出端和调整端之间的电压UR为1.25V。试求解：
（1）输出电压的调节范围；
（2）输入电压允许的范围；
13. 试分别求出所示各电路输出电压的表达式。
门电路与逻辑代数
选择题
1．以下代码中为无权码的为( )。
A. 8421BCD码 B. 5421BCD码 C. 余三码 D. 格雷码
2．以下代码中为恒权码的为( )。
A.8421BCD码 B. 5421BCD码 C. 余三码 D. 格雷码
3．一位十六进制数可以用( )位二进制数来表示。
A. １ B. ２ C. ４ D. 16
4．十进制数25用8421BCD码表示为( )。
A.10 101 B.0010 0101 C.100101 D.10101
5．在一个8位的存储单元中，能够存储的最大无符号整数是( )。
A.（256）10 B.（127）10 C.（FF）16 D.（255）10
6．与十进制数（53.5）10等值的数或代码为( )。
A.(0101 0011.0101)8421BCD B.(35.8)16 C.(110101.1)2 D.(65.4)8
7．矩形脉冲信号的参数有( )。
A.周期 B.占空比 C.脉宽 D.扫描期
8．与八进制数(47.3)8等值的数为：
A. (100111.011)2 B.(27.6)16 C.(27.3 )16 D. (100111.11)2
9. 常用的BCD码有( )。
A.奇偶校验码 B.格雷码 C.8421码 D.余三码
10．与模拟电路相比，数字电路主要的优点有( )。
A.容易设计 B.通用性强 C.保密性好 D.抗干扰能力强
11. 以下表达式中符合逻辑运算法则的是( )。
A.C·C=C2 B.1+1=10 C.0<1 D.A+1=1
12. 逻辑变量的取值１和０可以表示：( )。
A.开关的闭合、断开 B.电位的高、低 C.真与假 D.电流的有、无
13. 当逻辑函数有n个变量时，共有( )个变量取值组合？
A. n B. 2n C. n2 D. 2n
14. 逻辑函数的表示方法中具有唯一性的是( )。
A .真值表 B.表达式 C.逻辑图 D.卡诺图
15.F=A+BD+CDE+D=( )。
A. B. C. D.
16.逻辑函数F= =( )。
A.B B.A C. D.
17．求一个逻辑函数F的对偶式，可将F中的( )。
A .“·”换成“+”，“+”换成“·” B.原变量换成反变量，反变量换成原变量
C.变量不变D.常数中“0”换成“1”，“1”换成“0” E.常数不变
18．A+BC=( )。
A .A+B B.A+C C.（A+B）（A+C） D.B+C
19．在何种输入情况下，“与非”运算的结果是逻辑0。( )
A．全部输入是0 B.任一输入是0 C.仅一输入是0 D.全部输入是1
20．在何种输入情况下，“或非”运算的结果是逻辑0。( )
A．全部输入是0 B.全部输入是1 C.任一输入为0，其他输入为1 D.任一输入为1
21. 三态门输出高阻状态时， 是正确的说法。
A.用电压表测量指针不动 B.相当于悬空 C.电压不高不低 D.测量电阻指针不动
22. 以下电路中可以实现“线与”功能的有 。
A.与非门 B.三态输出门 C.集电极开路门 D.漏极开路门
23．以下电路中常用于总线应用的有 。
A.TSL门 B.OC门 C. 漏极开路门 D.CMOS与非门
24．逻辑表达式Y=AB可以用 实现。
A.正或门 B.正非门 C.正与门 D.负或门
25．TTL电路在正逻辑系统中，以下各种输入中 相当于输入逻辑“1”。
A.悬空B.通过电阻2.7kΩ接电源C.通过电阻2.7kΩ接地 D.通过电阻510Ω接地
26．对于TTL与非门闲置输入端的处理，可以 。
A.接电源 B.通过电阻3kΩ接电源 C.接地 D.与有用输入端并联
27．要使TTL与非门工作在转折区，可使输入端对地外接电阻RI 。
A.＞RON B.＜ROFF C.ROFF＜RI＜RON D.＞ROFF
28．三极管作为开关使用时，要提高开关速度，可 。
A.降低饱和深度 B.增加饱和深度
C.采用有源泄放回路 D.采用抗饱和三极管
29．CMOS数字集成电路与TTL数字集成电路相比突出的优点是 。
A.微功耗 B.高速度 C.高抗干扰能力 D.电源范围宽
30．与CT4000系列相对应的国际通用标准型号为 。
A.CT74S肖特基系列 B. CT74LS低功耗肖特基系列
C.CT74L低功耗系列 D. CT74H高速系列
判断题（正确打√，错误的打×）
1. 方波的占空比为0.5。（ ）
2. 8421码1001比0001大。（ ）
3. 数字电路中用“1”和“0”分别表示两种状态,二者无大小之分。（ ）
4．格雷码具有任何相邻码只有一位码元不同的特性。（ ）
5．八进制数（18）8比十进制数（18）10小。（ ）
6．当传送十进制数5时，在8421奇校验码的校验位上值应为1。（ ）
7．在时间和幅度上都断续变化的信号是数字信号，语音信号不是数字信号。（ ）
8．占空比的公式为：q = t w / T，则周期T越大占空比q越小。（ ）
9．十进制数（9）10比十六进制数（9）16小。（ ）
10．当8421奇校验码在传送十进制数（8）10时，在校验位上出现了1时，表明在传送过程中出现了错误。（ ）
11． 逻辑变量的取值，１比０大。（ ）。
12． 异或函数与同或函数在逻辑上互为反函数。（ ）。
13．若两个函数具有相同的真值表，则两个逻辑函数必然相等。（ ）。
14．因为逻辑表达式A+B+AB=A+B成立，所以AB=0成立。（ ）
15．若两个函数具有不同的真值表，则两个逻辑函数必然不相等。（ ）
16．若两个函数具有不同的逻辑函数式，则两个逻辑函数必然不相等。（ ）
17．逻辑函数两次求反则还原，逻辑函数的对偶式再作对偶变换也还原为它本身。（ ）
18．逻辑函数Y=A+B+C+B已是最简与或表达式。（ ）
19．因为逻辑表达式A+B +AB=A+B+AB成立，所以A+B= A+B成立。（ ）
20．对逻辑函数Y=A+B+C+B利用代入规则，令A=BC代入，得Y= BC+B+C+B=C+B成立。（ ）
21．TTL与非门的多余输入端可以接固定高电平。（ ）
22． 当TTL与非门的输入端悬空时相当于输入为逻辑1。（ ）
23．普通的逻辑门电路的输出端不可以并联在一起，否则可能会损坏器件。（ ）
填空题
描述脉冲波形的主要参数有( )、( )、( )、( )、( )、( )、( )。
数字信号的特点是在( )上和( )上都是断续变化的，其高电平和低电平常用( )和( )来表示。
分析数字电路的主要工具是( )，数字电路又称作( )。
在数字电路中，常用的计数制除十进制外，还有( )、( )、( )。
常用的BCD码有( )、( )、( )、( )等。常用的可靠性代码有( )、( )等。
（10110010）2=( )8=( )16
( 35.4)8 =（ ）2 =( )10=( )16=( )8421BCD
(39.75 )10=（ ）2=( )8=( )16
( 5E.C)16=（ ）2=( )8=( )10= ( )8421BCD
( 0111 1000)8421BCD =（ ）2=( )8=( )10=( )16
11. 逻辑代数又称为( )代数。最基本的逻辑关系有( )、( )、 三种。常用的几种导出的逻辑运算为( )、( )、( )、( )、( )。
12. 逻辑函数的常用表示方法有( )、( )、( )。
13. 逻辑代数中与普通代数相似的定律有( )、( )、( )。摩根定律又称为( )。
14. 逻辑代数的三个重要规则是( )、( )、( )。
15．逻辑函数F=+B+D的反函数=( )。
16．逻辑函数F=A（B+C）·1的对偶函数是( )。
17．添加项公式AB+C+BC=AB+C的对偶式为( )。
18．逻辑函数F=+A+B+C+D=( )。
19．逻辑函数F==( )。
20．已知函数的对偶式为+，则它的原函数为( )。
21. 集电极开路门的英文缩写为（ ）门，工作时必须外加（ ）和（ ）。
22．OC门称为（ ）门，多个OC门输出端并联到一起可实现（ ）功能。
23．TTL与非门电压传输特性曲线分为（ ）区、（ ）区、（ ）区、（ ）区。
四、思考题
1.在数字系统中为什么要采用二进制？
2.格雷码的特点是什么？为什么说它是可靠性代码？
3.奇偶校验码的特点是什么？为什么说它是可靠性代码？
4. 逻辑代数与普通代数有何异同？
5. 逻辑函数的三种表示方法如何相互转换？
6. 为什么说逻辑等式都可以用真值表证明？
7. 对偶规则有什么用处？
组合逻辑电路
一 选择题
1．下列表达式中不存在竞争冒险的有（ ）。
A.Y=+AB B.Y=AB+C C.Y=AB+AB D.Y=(A+)A
2．若在编码器中有50个编码对象，则要求输出二进制代码位数为（ ） 位。
A.5 B.6 C.10 D.50
3.一个16选一的数据选择器，其地址输入（选择控制输入）端有（ ） 个。
A.1 B.2 C.4 D.16
4.下列各函数等式中无冒险现象的函数式有（ ）。
A. B. C. D. E.
5．函数，当变量的取值为（ ）时，将出现冒险现象。
A.B=C=1 B.B=C=0 C.A=1，C=0 D.A=0，B=0
6．四选一数据选择器的数据输出Y与数据输入Xi和地址码Ai之间的逻辑表达式为Y=（ ）。
A. B. C. D.
7.一个8选一数据选择器的数据输入端有（ ）个。
A.1 B.2 C.3 D.4 E.8
8．在下列逻辑电路中，不是组合逻辑电路的有（ ）。
A.译码器 B.编码器 C.全加器 D.寄存器
9．八路数据分配器，其地址输入端有（ ）个。
A.1 B.2 C.3 D.4 E.8
10．组合逻辑电路消除竞争冒险的方法有（ ）。
修改逻辑设计 B.在输出端接入滤波电容
C.后级加缓冲电路 D.屏蔽输入信号的尖峰干扰
11．101键盘的编码器输出（ ）位二进制代码。
A.2 B.6 C.7 D.8
12．用三线-八线译码器74LS138实现原码输出的8路数据分配器，应（ ）。
A.=1，=D，=0 B. =1，=D，=D
C.=1，=0，=D D. =D，=0，=0
13．以下电路中，加以适当辅助门电路，（ ）适于实现单输出组合逻辑电路。
A.二进制译码器 B.数据选择器 C.数值比较器 D.七段显示译码器
14．用四选一数据选择器实现函数Y=，应使（ ）。
A.D0=D2=0，D1=D3=1 B.D0=D2=1，D1=D3=0
C.D0=D1=0，D2=D3=1 D.D0=D1=1，D2=D3=0
15．用三线-八线译码器74LS138和辅助门电路实现逻辑函数Y=，应（ ）。
A.用与非门，Y= B.用与门，Y=
C.用或门，Y= D.用或门，Y=
二 判断题（正确打√，错误的打×）
1．两输入端四与非门器件74LS00与7400的逻辑功能完全相同。（ ）
2．CMOS或非门与TTL或非门的逻辑功能完全相同。（ ）
3．三态门的三种状态分别为：高电平、低电平、不高不低的电压。（ ）
4．TTL集电极开路门输出为１时由外接电源和电阻提供输出电流。（ ）
5．一般TTL门电路的输出端可以直接相连，实现线与。（ ）
6．CMOS OD门（漏极开路门）的输出端可以直接相连，实现线与。（ ）
7．TTL OC门（集电极开路门）的输出端可以直接相连，实现线与。（ ）
8.优先编码器的编码信号是相互排斥的，不允许多个编码信号同时有效。（ ）
9.编码与译码是互逆的过程。（ ）
10.二进制译码器相当于是一个最小项发生器，便于实现组合逻辑电路。（ ）
11.液晶显示器的优点是功耗极小、工作电压低。（ ）
12.液晶显示器可以在完全黑暗的工作环境中使用。（ ）
13.半导体数码显示器的工作电流大，约10mA左右，因此，需要考虑电流驱动能力问题。（ ）
14.共阴接法发光二极管数码显示器需选用有效输出为高电平的七段显示译码器来驱动。（ ）
15.数据选择器和数据分配器的功能正好相反，互为逆过程。（ ）
16.用数据选择器可实现时序逻辑电路。（ ）
17.组合逻辑电路中产生竞争冒险的主要原因是输入信号受到尖峰干扰。（ ）
三 填空题
1．国产TTL电路（ ）相当于国际SN54/74LS系列，其中LS表示（ ）。
2．半导体数码显示器的内部接法有两种形式：共（ ）接法和共 接法。
3．对于共阳接法的发光二极管数码显示器，应采用（ ）电平驱动的七段显示译码器。
4．消除竟争冒险的方法有（ ）、（ ）、（ ）等。
四、分析与计算
1. 分析下图所示电路的逻辑功能。
2. 用与非门实现下面的逻辑功能。
三变量的判奇电路（3个输入变量中，1的个数为奇数时，输出为1。）。
3. 写出下图电路逻辑表达式，并将其化简后用最简单的组合电路实现此组合电路。
4. 应用四路数据选择器实现函数F（A，B，C）=AB+BC+CA。
5. 用卡诺图化简下列函数，并用与非门画出逻辑电路图。
F（A、B、C、D）=Σ（0、2、6、7、8、9、10、13、14、15）
触发器和时序逻辑电路
一、选择题
1.N个触发器可以构成能寄存（ ）位二进制数码的寄存器。
A.N-1 B.N C.N+1 D.2N
2．在下列触发器中，有约束条件的是（ ）。
A.主从JK触发器 B.主从D 触发器 C.同步RS触发器 D.边沿D触发器
3．一个触发器可记录一位二进制代码，它有（ ）个稳态。
A.0 B.1 C.2 D.3 E.4
4．存储8位二进制信息要（ ）个触发器。
A.2 B.3 C.4 D.8
5．对于T触发器，若原态Qn=0，欲使新态Qn+1=1，应使输入T=（ ）。
A.0 B.1 C.Q D.
6．对于T触发器，若原态Qn=1，欲使新态Qn+1=1，应使输入T=（ ）。
A.0 B.1 C.Q D.
7．对于D触发器，欲使Qn+1=Qn，应使输入D=（ ）。
A.0 B.1 C.Q D.
8．对于JK触发器，若J=K，则可完成（ ）触发器的逻辑功能。
A.RS B.D C.T D.Tˊ
9．欲使JK触发器按Qn+1=Qn工作，可使JK触发器的输入端（ ）。
A.J=K=0 B.J=Q,K= C.J=,K=Q D.J=Q,K=0 E.J=0,K=
10．欲使JK触发器按Qn+1=n工作，可使JK触发器的输入端（ ）。
A.J=K=1 B.J=Q,K= C.J=,K=Q D.J=Q,K=1 E.J=1,K=Q
11．欲使JK触发器按Qn+1=0工作，可使JK触发器的输入端（ ）。
A.J=K=1 B.J=Q,K=Q C.J=Q,K=1 D.J=0,K=1 E.J=K=1
12．欲使JK触发器按Qn+1=1工作，可使JK触发器的输入端（ ）。
A.J=K=1 B.J=1,K=0 C.J=K= D.J=K=0 E.J=,K=0
13．欲使D触发器按Qn+1=n工作，应使输入D=（ ）。
A.0 B.1 C.Q D.
14．下列触发器中，克服了空翻现象的有（ ）。
A.边沿D触发器 B.主从RS触发器 C.同步RS触发器 D.主从JK触发器
15．下列触发器中，没有约束条件的是（ ）。
A.基本RS触发器 B.主从RS触发器 C.同步RS触发器 D.边沿D触发器
16．描述触发器的逻辑功能的方法有（ ）。
A.状态转换真值表 B.特性方程 C.状态转换图 D.状态转换卡诺图
17．为实现将JK触发器转换为D触发器，应使（ ）。
A.J=D,K= B. K=D,J= C.J=K=D D.J=K=
18.边沿式D触发器是一种（ ）稳态电路。
A.无 B.单 C.双 D.多
19.同步计数器和异步计数器比较，同步计数器的显著优点是（ ）。
A.工作速度高 B.触发器利用率高 C.电路简单 D.不受时钟CP控制。
20．把一个五进制计数器与一个四进制计数器串联可得到（ ）进制计数器。
A.4 B.5 C.9 D.20
21．下列逻辑电路中为时序逻辑电路的是（ ）。
A.变量译码器 B.加法器 C.数码寄存器 D.数据选择器
22. N个触发器可以构成最大计数长度（进制数）为（ ）的计数器。
A.N B.2N C.N2 D.2N
23. N个触发器可以构成能寄存（ ）位二进制数码的寄存器。
A.N-1 B.N C.N+1 D.2N
24．五个D触发器构成环形计数器，其计数长度为（ ）。
A.5 B.10 C.25 D.32
25．同步时序电路和异步时序电路比较，其差异在于后者（ ）。
A.没有触发器 B.没有统一的时钟脉冲控制
C.没有稳定状态 D.输出只与内部状态有关
26．一位8421BCD码计数器至少需要（ ）个触发器。
A.3 B.4 C.5 D.10
27.欲设计0，1，2，3，4，5，6，7这几个数的计数器，如果设计合理，采用同步二进制计数器，最少应使用（ ）级触发器。
A.2 B.3 C.4 D.8
28．8位移位寄存器，串行输入时经（ ）个脉冲后，8位数码全部移入寄存器中。
A.1 B.2 C.4 D.8
29．用二进制异步计数器从0做加法，计到十进制数178，则最少需要（ ）个触发器。
A.2 B.6 C.7 D.8 E.10
30．某电视机水平-垂直扫描发生器需要一个分频器将31500HZ的脉冲转换为60HZ的脉冲，欲构成此分频器至少需要（ ）个触发器。
A.10 B.60 C.525 D.31500
31．某移位寄存器的时钟脉冲频率为100KHZ，欲将存放在该寄存器中的数左移8位，完成该操作需要（ ）时间。
A.10μS B.80μS C.100μS D.800ms
32.若用JK触发器来实现特性方程为，则JK端的方程为（ ）。
A.J=AB，K= B.J=AB，K= C.J=，K=AB D.J=，K=AB
33．要产生10个顺序脉冲，若用四位双向移位寄存器CT74LS194来实现，需要（ ）片。
A.3 B.4 C.5 D.10
34．若要设计一个脉冲序列为1101001110的序列脉冲发生器，应选用（ ）个触发器。
A.2 B.3 C.4 D.10
35．脉冲整形电路有（ ）。
A.多谐振荡器 B.单稳态触发器 C.施密特触发器 D.555定时器
36．多谐振荡器可产生（ ）。
A.正弦波 B.矩形脉冲 C.三角波 D.锯齿波
37． 石英晶体多谐振荡器的突出优点是（ ）。
A.速度高 B.电路简单 C.振荡频率稳定 D.输出波形边沿陡峭
38．TTL单定时器型号的最后几位数字为（ ）。
A.555 B.556 C.7555 D.7556
39．555定时器可以组成（ ）。
A.多谐振荡器 B.单稳态触发器 C.施密特触发器 D.JK触发器
40．用555定时器组成施密特触发器，当输入控制端CO外接10V电压时，回差电压为（ ）。
A.3.33V B.5V C.6.66V D.10V
二、判断题（正确打√，错误的打×）
1.D触发器的特性方程为Qn+1=D，与Qn无关，所以它没有记忆功能。（ ）
2.RS触发器的约束条件RS=0表示不允许出现R=S=1的输入。（ ）
3.同步触发器存在空翻现象，而边沿触发器和主从触发器克服了空翻。（ ）
4.主从JK触发器、边沿JK触发器和同步JK触发器的逻辑功能完全相同。（ ）
5.若要实现一个可暂停的一位二进制计数器，控制信号A=0计数，A=1保持，可选用T触发器，且令T=A。（ ）
6.由两个TTL或非门构成的基本RS触发器，当R=S=0时，触发器的状态为不定。（ ）
7.对边沿JK触发器，在CP为高电平期间，当J=K=1时，状态会翻转一次。（ ）
8．同步时序电路由组合电路和存储器两部分组成。（ ）
9．组合电路不含有记忆功能的器件。（ ）
10．时序电路不含有记忆功能的器件。（ ）
11．同步时序电路具有统一的时钟CP控制。（ ）
12．异步时序电路的各级触发器类型不同。（ ）
13．环形计数器在每个时钟脉冲CP作用时，仅有一位触发器发生状态更新。（ ）
14．环形计数器如果不作自启动修改，则总有孤立状态存在。（ ）
15．计数器的模是指构成计数器的触发器的个数。（ ）
16．计数器的模是指对输入的计数脉冲的个数。（ ）
17．D触发器的特征方程Qn+1=D，而与Qn无关，所以，D触发器不是时序电路。（ ）
18．在同步时序电路的设计中，若最简状态表中的状态数为2N，而又是用N级触发器来实现其电路，则不需检查电路的自启动性。（ ）
19．把一个5进制计数器与一个10进制计数器串联可得到15进制计数器。（ ）
20．同步二进制计数器的电路比异步二进制计数器复杂，所以实际应用中较少使用同步二进制计数器。（ ）
21．利用反馈归零法获得N进制计数器时，若为异步置零方式，则状态SN只是短暂的过渡状态，不能稳定而是立刻变为0状态。（ ）
22.施密特触发器可用于将三角波变换成正弦波。（ ）
23.施密特触发器有两个稳态。（ ）
24.多谐振荡器的输出信号的周期与阻容元件的参数成正比。（ ）
25.石英晶体多谐振荡器的振荡频率与电路中的R、C成正比。（ ）
26.单稳态触发器的暂稳态时间与输入触发脉冲宽度成正比。（ ）
27.单稳态触发器的暂稳态维持时间用tW表示，与电路中RC成正比。（ ）
28.采用不可重触发单稳态触发器时，若在触发器进入暂稳态期间再次受到触发，输出脉宽可在此前暂稳态时间的基础上再展宽tW。（ ）
三、填空题
1．触发器有（ ）个稳态，存储8位二进制信息要（ ）个触发器。
2．一个基本RS触发器在正常工作时，它的约束条件是+=1，则它不允许输入=（ ）且=（ ）的信号。
3．触发器有两个互补的输出端Q、，定义触发器的1状态为（ ），0状态为（ ），可见触发器的状态指的是（ ）端的状态。
4．一个基本RS触发器在正常工作时，不允许输入R=S=1的信号，因此它的约束条件是（ ）。
5．在一个CP脉冲作用下，引起触发器两次或多次翻转的现象称为触发器的（ ），触发方式为（ ）式或（ ）式的触发器不会出现这种现象。
6．寄存器按照功能不同可分为两类：（ ）寄存器和（ ）寄存器。
7．数字电路按照是否有记忆功能通常可分为两类：（ ）、（ ）。
8．由四位移位寄存器构成的顺序脉冲发生器可产生（ ）个顺序脉冲。
9．时序逻辑电路按照其触发器是否有统一的时钟控制分为（ ）时序电路和（ ）时序电路。
10．555定时器的最后数码为555的是（ ）产品，为7555的是（ ）产品。
11．施密特触发器具有（ ）现象，又称（ ）特性；单稳触发器最重要的参数为（ ）。
12．常见的脉冲产生电路有（ ），常见的脉冲整形电路有（ ）、（ ）。
13．为了实现高的频率稳定度，常采用（ ）振荡器；单稳态触发器受到外触发时进入（ ）态。
四、分析与计算
1. 触发器电路如图所示，试根据CP，A的波形，对应画出输出端Q的波形，设触发器的初试状态为0。
2. 触发器电路如图所示，试根据CP，A的波形，对应画出输出端Q的波形，设触发器的初试状态为0。
3. 应用D触发器实现模5的加法计数器。
4. 触发器电路如图所示，试根据CP，A的波形，对应画出输出端Q的波形，设触发器的初试状态为0。
半导体存储器
一、选择题
1．一个容量为1K×8的存储器有（ ）个存储单元。
A.8 B.8K C.8000 D.8192
2．要构成容量为4K×8的RAM，需要（ ）片容量为256×4的RAM。
A.2 B.4 C.8 D.32
3．寻址容量为16K×8的RAM需要（ ）根地址线。
A.4 B.8 C.14 D.16 E.16K
4．若RAM的地址码有8位，行、列地址译码器的输入端都为4个，则它们的输出线（即字线加位线）共有（ ）条。
A.8 B.16 C.32 D.256
5．某存储器具有8根地址线和8根双向数据线，则该存储器的容量为（ ）。
A.8×3 B.8K×8 C.256×8 D. 256×256
6.采用对称双地址结构寻址的1024×1的存储矩阵有（ ）。
A.10行10列 B.5行5列 C.32行32列 D.1024行1024列
7．随机存取存储器具有（ ）功能。
A.读/写 B.无读/写 C.只读 D.只写
8．欲将容量为128×1的RAM扩展为1024×8，则需要控制各片选端的辅助译码器的输出端数为（ ）。
A.1 B.2 C.3 D.8
9．欲将容量为256×1的RAM扩展为1024×8，则需要控制各片选端的辅助译码器的输入端数为（ ）。
A.4 B.2 C.3 D.8
10．只读存储器ROM在运行时具有（ ）功能。
A.读/无写 B.无读/写 C.读/写 D.无读/无写
11．只读存储器ROM中的内容，当电源断掉后又接通，存储器中的内容（ ）。
A.全部改变 B.全部为0 C.不可预料 D.保持不变
12．随机存取存储器RAM中的内容，当电源断掉后又接通，存储器中的内容（ ）。
A.全部改变 B.全部为1 C.不确定 D.保持不变
13．一个容量为512×1的静态RAM具有（ ）。
A.地址线9根，数据线1根 B.地址线1根，数据线9根
C.地址线512根，数据线9根 D.地址线9根，数据线512根
14．用若干RAM实现位扩展时，其方法是将（ ）相应地并联在一起。
A.地址线 B.数据线 C.片选信号线 D.读/写线
15．PROM的与陈列（地址译码器）是（ ）。
A.全译码可编程阵列 B. 全译码不可编程阵列
C.非全译码可编程阵列 D.非全译码不可编程阵列
二、判断题（正确打√，错误的打×）
1.实际中，常以字数和位数的乘积表示存储容量。（ ）
2.RAM由若干位存储单元组成，每个存储单元可存放一位二进制信息。（ ）
3.动态随机存取存储器需要不断地刷新，以防止电容上存储的信息丢失。（ ）
4.用2片容量为16K×8的RAM构成容量为32K×8的RAM是位扩展。（ ）
5.所有的半导体存储器在运行时都具有读和写的功能。（ ）
6.ROM和RAM中存入的信息在电源断掉后都不会丢失。（ ）
7.RAM中的信息，当电源断掉后又接通，则原存的信息不会改变。（ ）
8.存储器字数的扩展可以利用外加译码器控制数个芯片的片选输入端来实现。（ ）
9.PROM的或阵列（存储矩阵）是可编程阵列。（ ）
10.ROM的每个与项（地址译码器的输出）都一定是最小项。（ ）
11.PROM不仅可以读，也可以写（编程），则它的功能与RAM相同。（ ）
三、填空题
1．存储器的（ ）和（ ）是反映系统性能的两个重要指标。
电子设计自动化
一、选择题
1.PROM和PAL的结构是（ ）。
A.PROM的与阵列固定，不可编程 B. PROM与阵列、或阵列均不可编程
C.PAL与阵列、或阵列均可编程 D. PAL的与阵列可编程
2．当用专用输出结构的PAL设计时序逻辑电路时，必须还要具备有（ ）。
A.触发器 B.晶体管 C.MOS管 D.电容
3．当用异步I/O输出结构的PAL设计逻辑电路时，它们相当于（ ）。
组合逻辑电路 B.时序逻辑电路 C.存储器 D.数模转换器
4．PLD器件的基本结构组成有（ ）。
与阵列 B.或阵列 C.输入缓冲电路 D.输出电路
5．PLD器件的主要优点有（ ）。
便于仿真测试 B.集成密度高 C.可硬件加密 D.可改写
6．GAL的输出电路是（ ）。
A.OLMC B.固定的 C.只可一次编程 D.可重复编程
7．PLD开发系统需要有（ ）。
A.计算机 B.编程器 C.开发软件 D.操作系统
8．只可进行一次编程的可编程器件有（ ）。
A.PAL B.GAL C.PROM D.PLD
9．可重复进行编程的可编程器件有（ ）。
A.PAL B.GAL C.PROM D.ISP-PLD
10．ISP-PLD器件开发系统的组成有（ ）。
A.计算机 B.编程器 C.开发软件 D.编程电缆
11．全场可编程（与、或阵列皆可编程）的可编程逻辑器件有（ ）。
A.PAL B.GAL C.PROM D.PLA
二、判断题（正确打√，错误的打×）
1.PAL的每个与项都一定是最小项。（ ）
2.PAL和GAL都是与阵列可编程、或阵列固定。（ ）
3.PAL可重复编程。（ ）
4.PAL的输出电路是固定的，不可编程，所以它的型号很多。（ ）
5.GAL的型号虽然很少，但却能取代大多数PAL芯片。（ ）
6.GAL不需专用编程器就可以对它进行反复编程。（ ）
7.在系统可编程逻辑器件ISP-PLD不需编程器就可以高速而反复地编程，则它与RAM随机存取存储器的功能相同。（ ）
8.PLA是全场可编程（与、或阵列皆可编程）的可编程逻辑器件，功能强大，便于使用，因此被普遍使用。（ ）
数模和模数转换
一 选择题
1．一个无符号8位数字量输入的DAC，其分辨率为（ ）位。
A.1 B.3 C.4 D.8
2．一个无符号10位数字输入的DAC，其输出电平的级数为（ ）。
A.4 B.10 C.1024 D.210
3．一个无符号4位权电阻DAC，最低位处的电阻为40KΩ，则最高位处电阻为（ ）。
A.4KΩ B.5KΩ C.10KΩ D.20KΩ
4．4位倒T型电阻网络DAC的电阻网络的电阻取值有（ ）种。
A.1 B.2 C.4 D.8
5．为使采样输出信号不失真地代表输入模拟信号，采样频率和输入模拟信号的最高频率的关系是（ ）。
A. ≥ B. ≤ C. ≥2 D. ≤2
6．将一个时间上连续变化的模拟量转换为时间上断续（离散）的模拟量的过程称为（ ）。
A.采样 B.量化 C.保持 D.编码
7．用二进制码表示指定离散电平的过程称为（ ）。
A.采样 B.量化 C.保持 D.编码
8．将幅值上、时间上离散的阶梯电平统一归并到最邻近的指定电平的过程称为（ ）。
A.采样 B.量化 C.保持 D.编码
9．若某ADC取量化单位△=，并规定对于输入电压，在0≤＜时，认为输入的模拟电压为0V，输出的二进制数为000，则≤＜时，输出的二进制数为（ ）。
A.001 B.101 C.110 D.111
10．以下四种转换器，（ ）是A/D转换器且转换速度最高。
A.并联比较型 B.逐次逼近型 C.双积分型 D.施密特触发器
二 判断题（正确打√，错误的打×）
权电阻网络D/A转换器的电路简单且便于集成工艺制造，因此被广泛使用。（ ）
D/A转换器的最大输出电压的绝对值可达到基准电压VREF。（ ）
D/A转换器的位数越多，能够分辨的最小输出电压变化量就越小。（ ）
D/A转换器的位数越多，转换精度越高。（ ）
A/D转换器的二进制数的位数越多，量化单位△越小。（ ）
A/D转换过程中，必然会出现量化误差。（ ）
A/D转换器的二进制数的位数越多，量化级分得越多，量化误差就可以减小到0。（ ）
一个N位逐次逼近型A/D转换器完成一次转换要进行N次比较，需要N+2个时钟脉冲。（ ）
双积分型A/D转换器的转换精度高、抗干扰能力强，因此常用于数字式仪表中。（ ）
采样定理的规定，是为了能不失真地恢复原模拟信号，而又不使电路过于复杂。（ ）
三 填空题
1．将模拟信号转换为数字信号，需要经过（ ）、（ ）、（ ）、（ ）四个过程。
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发表于 2017-7-3 10:56:30