电子科技大学17秋《测试与传感技术》在线作业123参考
17秋《测试与传感技术》在线作业1一、单选题:【20道,总分:100分】
1.霍尔元件不等位电势产生的主要原因不包括( ) (满分:5)
A. 霍尔电极安装位置不对称或不在同一等电位上
B. 半导体材料不均匀造成电阻率不均匀或几何尺寸不均匀
C. 周围环境温度变化
D. 激励电极接触不良造成激励电流不均匀分配
2.通常用差动变压器传感器测量( )。 (满分:5)
A. 位移
B. 振动
C. 加速度
D. 厚度
3.当光电管的阳极和阴极之间所加电压一定时，光通量与光电流之间的关系称为光电管的( )。 (满分:5)
A. 伏安特性
B. 光照特性
C. 光谱特性
D. 频率特性
4.若将计算机比喻成人的大脑，那么传感器则可以比喻为( )。 (满分:5)
A. 眼睛
B. 感觉器官
C. 手
D. 皮肤
5.衡量传感器静态特性的指标不包括( )。 (满分:5)
A. 线性度
B. 灵敏度
C. 频域响应
D. 重复性
6.电容式传感器做成差动结构后，灵敏度提高了( )倍 (满分:5)
A. 1
B. 2
C. 3
D. 0
7.产生应变片温度误差的主要原因有( )。 (满分:5)
A. 电阻丝有温度系数
B. 试件与电阻丝的线膨胀系数相同
C. 电阻丝承受应力方向不同
D. 电阻丝与试件材料不同
8.磁电式传感器测量电路中引入积分电路是为了测量( )。 (满分:5)
A. 位移
B. 速度
C. 加速度
D. 光强
9.用热电阻测温时，热电阻在电桥中采用三线制接法的目的是( )。 (满分:5)
A. 接线方便
B. 减小引线电阻变化产生的测量误差
C. 减小桥路中其它电阻对热电阻的影响
D. 减小桥路中电源对热电阻的影响
10.通常用应变式传感器测量( )。 (满分:5)
A. 温度
B. 密度
C. 加速度
D. 电阻
11.一阶传感器输出达到稳态值的90%所需的时间是( )。 (满分:5)
A. 延迟时间
B. 上升时间
C. 峰值时间
D. 响应时间
12.影响金属导电材料应变灵敏系数K的主要因素是( )。 (满分:5)
A. 导电材料电阻率的变化
B. 导电材料几何尺寸的变化
C. 导电材料物理性质的变化
D. 导电材料化学性质的变化
13.电容式传感器通常用来测量( )。 (满分:5)
A. 交流电流
B. 电场强度
C. 重量
D. 位移
14.两个压电元件相并联与单片时相比说法正确的是（D） (满分:5)
A. 并联时输出电压不变，输出电容是单片时的一半
B. 并联时输出电压不变，电荷量增加了2倍
C. 并联时电荷量增加了2倍，输出电容为单片时2倍
D. 并联时电荷量增加了一倍，输出电容为单片时的2倍
15.当变间隙式电容传感器两极板间的初始距离d增加时，将引起传感器的( )。 (满分:5)
A. 灵敏度会增加
B. 灵敏度会减小
C. 非线性误差增加
D. 非线性误差不变
16.石英晶体和压电陶瓷的压电效应对比正确的是( ) (满分:5)
A. 压电陶瓷比石英晶体的压电效应明显，稳定性也比石英晶体好
B. 压电陶瓷比石英晶体的压电效应明显，稳定性不如石英晶体好
C. 石英晶体比压电陶瓷的压电效应明显，稳定性也比压电陶瓷好
D. 石英晶体比压电陶瓷的压电效应明显，稳定性不如压电陶瓷好
17.磁电式传感器测量电路中引入微分电路是为了测量( ) (满分:5)
A. 位移
B. 速度
C. 加速度
D. 光强
18.压电石英晶体表面上产生的电荷密度与( )。 (满分:5)
A. 晶体厚度成反比
B. 晶体面积成正比
C. 作用在晶片上的压力成正比
D. 剩余极化强调成正比
19.制造霍尔元件的半导体材料中，目前用的较多的是锗、锑化铟、砷化铟，其原因是这些( )。 (满分:5)
A. 半导体材料的霍尔常数比金属的大
B. 半导体中电子迁移率比空穴高
C. 半导体材料的电子迁移率比较大
D. N型半导体材料较适宜制造灵敏度较高的霍尔元件
20.当变隙式电容传感器的两极板极间的初始距离d0增加时，将引起传感器的( ) (满分:5)
A. 灵敏度K0增加
B. 灵敏度K0不变
C. 非线性误差增加
D. 非线性误差减小
17秋《测试与传感技术》在线作业2
一、单选题:【20道,总分:100分】
1.下列指标属于衡量传感器动态特性的评价指标的是( )。 (满分:5)
A. 时域响应
B. 线性度
C. 零点漂移
D. 灵敏度
2.当变隙式电容传感器的两极板极间的初始距离d0增加时，将引起传感器的( ) (满分:5)
A. 灵敏度K0增加
B. 灵敏度K0不变
C. 非线性误差增加
D. 非线性误差减小
3.在实际应用中，用作热电极的材料一般应具备的条件不包括( )。 (满分:5)
A. 物理化学性能稳定
B. 温度测量范围广
C. 电阻温度系数要大
D. 材料的机械强度要高
4.石英晶体和压电陶瓷的压电效应对比正确的是( ) (满分:5)
A. 压电陶瓷比石英晶体的压电效应明显，稳定性也比石英晶体好
B. 压电陶瓷比石英晶体的压电效应明显，稳定性不如石英晶体好
C. 石英晶体比压电陶瓷的压电效应明显，稳定性也比压电陶瓷好
D. 石英晶体比压电陶瓷的压电效应明显，稳定性不如压电陶瓷好
5.两个压电元件相串联与单片时相比说法正确的是( ) (满分:5)
A. 串联时输出电压不变，电荷量与单片时相同
B. 串联时输出电压增大一倍，电荷量与单片时相同
C. 串联时电荷量增大一倍，电容量不变
D. 串联时电荷量增大一倍，电容量为单片时的一半
6.用热电阻传感器测温时，经常使用的配用测量电路是( )。 (满分:5)
A. 交流电桥
B. 差动电桥
C. 直流电桥
D. 以上几种均可
7.电感式传感器采用变压器式交流电桥测量电路时，下列说法不正确的是( )。 (满分:5)
A. 衔铁上、下移动时，输出电压相位相反
B. 衔铁上、下移动时，输出电压随衔铁的位移而变化
C. 根据输出的指示可以判断位移的方向
D. 当衔铁位于中间位置时，电桥处于平衡状态
8.差动螺线管式电感传感器配用的测量电路有( )。 (满分:5)
A. 直流电桥
B. 变压器式交流电桥
C. 差动相敏检波电路
D. 运算放大电路
9.当变间隙式电容传感器两极板间的初始距离d增加时，将引起传感器的( )。 (满分:5)
A. 灵敏度会增加
B. 灵敏度会减小
C. 非线性误差增加
D. 非线性误差不变
10.下列光电器件是根据外光电效应做出的是( )。 (满分:5)
A. 光电管
B. 光电池
C. 光敏电阻
D. 光敏二极管
11.霍尔电势与( )成反比 (满分:5)
A. 激励电流
B. 磁感应强度
C. 霍尔器件宽度
D. 霍尔器件长度
12.电容式传感器做成差动结构后，灵敏度提高了( )倍 (满分:5)
A. 1
B. 2
C. 3
D. 0
13.制造霍尔元件的半导体材料中，目前用的较多的是锗、锑化铟、砷化铟，其原因是这些( )。 (满分:5)
A. 半导体材料的霍尔常数比金属的大
B. 半导体中电子迁移率比空穴高
C. 半导体材料的电子迁移率比较大
D. N型半导体材料较适宜制造灵敏度较高的霍尔元件
14.对石英晶体，下列说法正确的是( )。 (满分:5)
A. 沿光轴方向施加作用力，不会产生压电效应，也没有电荷产生。
B. 沿光轴方向施加作用力，不会产生压电效应，但会有电荷产生。
C. 沿光轴方向施加作用力，会产生压电效应，但没有电荷产生。
D. 沿光轴方向施加作用力，会产生压电效应，也会有电荷产生。
15.压电石英晶体表面上产生的电荷密度与( )。 (满分:5)
A. 晶体厚度成反比
B. 晶体面积成正比
C. 作用在晶片上的压力成正比
D. 剩余极化强调成正比
16.若将计算机比喻成人的大脑，那么传感器则可以比喻为( )。 (满分:5)
A. 眼睛
B. 感觉器官
C. 手
D. 皮肤
17.热敏电阻测温的原理是根据它们的( )。 (满分:5)
A. 伏安特性
B. 热电特性
C. 标称电阻值
D. 测量功率
18.为减小或消除非线性误差的方法可采用( )。 (满分:5)
A. 提高供电电压
B. 提高桥臂比
C. 提高桥臂电阻值
D. 提高电压灵敏度
19.利用相邻双臂桥检测的应变式传感器，为使其灵敏度高、非线性误差小( )。 (满分:5)
A. 两个桥臂都应当用大电阻值工作应变片
B. 两个桥臂都应当用两个工作应变片串联
C. 两个桥臂应当分别用应变量变化相反的工作应变片
20.如将变面积型电容式传感器接成差动形式，则其灵敏度将( )。 (满分:5)
A. 保持不变
B. 增大一倍
C. 减小一倍
D. 增大两倍
17秋《测试与传感技术》在线作业3
一、单选题:【20道,总分:100分】
1.压电式传感器目前多用于测量( )。 (满分:5)
A. 静态的力或压力
B. 动态的力或压力
C. 位移
D. 温度
2.通常意义上的传感器包含了敏感元件和( )两个组成部分。 (满分:5)
A. 放大电路
B. 数据采集电路
C. 转换元件
D. 滤波元件
3.影响金属导电材料应变灵敏系数K的主要因素是( )。 (满分:5)
A. 导电材料电阻率的变化
B. 导电材料几何尺寸的变化
C. 导电材料物理性质的变化
D. 导电材料化学性质的变化
4.近年来，仿生传感器的研究越来越热，其主要就是模仿人的( )的传感器。 (满分:5)
A. 视觉器官
B. 听觉器官
C. 嗅觉器官
D. 感觉器官
5.为了减小热电偶测温时的测量误差，需要进行的温度补偿方法不包括( )。 (满分:5)
A. 补偿导线法
B. 电桥补偿法
C. 冷端恒温法
D. 差动放大法
6.热敏电阻测温的原理是根据它们的( )。 (满分:5)
A. 伏安特性
B. 热电特性
C. 标称电阻值
D. 测量功率
7.压电陶瓷传感器与压电石英晶体传感器的比较是（ ）。 (满分:5)
A. 前者比后者灵敏度高
B. 后者比前者灵敏度高
C. 前者比后者性能稳定性好
D. 前者机械强度比后者的好
8.磁电式传感器测量电路中引入微分电路是为了测量( ) (满分:5)
A. 位移
B. 速度
C. 加速度
D. 光强
9.传感器按其敏感的工作原理，可以分为物理型、化学型和( )三大类。 (满分:5)
A. 生物型
B. 电子型
C. 材料型
D. 薄膜型
10.电容式传感器通常用来测量( )。 (满分:5)
A. 交流电流
B. 电场强度
C. 重量
D. 位移
11.自动控制技术、通信技术、连同计算机技术和( )，构成信息技术的完整信息链。 (满分:5)
A. 汽车制造技术
B. 建筑技术
C. 传感技术
D. 监测技术
12.一个热电偶产生的热电势为E0，当打开其冷端串接与两热电极材料不同的第三根金属导体时，若保证已打开的冷端两点的温度与未打开时相同，则回路中热电势( )。 (满分:5)
A. 增加
B. 减小
C. 增加或减小不能确定
D. 不变
13.磁电式传感器测量电路中引入积分电路是为了测量( )。 (满分:5)
A. 位移
B. 速度
C. 加速度
D. 光强
14.若将计算机比喻成人的大脑，那么传感器则可以比喻为( )。 (满分:5)
A. 眼睛
B. 感觉器官
C. 手
D. 皮肤
15.不属于传感器静态特性指标的是( ) (满分:5)
A. 重复性
B. 固有频率
C. 灵敏度
D. 漂移
16.产生应变片温度误差的主要原因有( )。 (满分:5)
A. 电阻丝有温度系数
B. 试件与电阻丝的线膨胀系数相同
C. 电阻丝承受应力方向不同
D. 电阻丝与试件材料不同
17.制造霍尔元件的半导体材料中，目前用的较多的是锗、锑化铟、砷化铟，其原因是这些( )。 (满分:5)
A. 半导体材料的霍尔常数比金属的大
B. 半导体中电子迁移率比空穴高
C. 半导体材料的电子迁移率比较大
D. N型半导体材料较适宜制造灵敏度较高的霍尔元件
18.通常用应变式传感器测量( )。 (满分:5)
A. 温度
B. 密度
C. 加速度
D. 电阻
19.随着人们对各项产品技术含量的要求的不断提高，传感器也朝向智能化方面发展，其中，典型的传感器智能化结构模式是( )。 (满分:5)
A. 传感器＋通信技术
B. 传感器＋微处理器
C. 传感器＋多媒体技术
D. 传感器＋计算机
20.一阶传感器输出达到稳态值的90%所需的时间是( )。 (满分:5)
A. 延迟时间
B. 上升时间
C. 峰值时间
D. 响应时间
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