端木老师 发表于 2021-3-14 16:55:57

大工20秋《模拟电子线路》在线作业1题目及答案

大工20秋《模拟电子线路》在线作业1
1.[单选题] 半导体二极管的重要特性之一是()。
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    A.温度稳定性
    B.单向导电性
    C.放大作用
    D.滤波特性
    答:——B——
2.[单选题] 当温度升高时,三极管的电流放大系数β将()。
    A.增大
    B.减小    东大q7 612 960 21更多答案进 ap5u.com
    C.不变
    D.不确定
    答:——A——
3.[单选题] 用万用表判别放大电路中处于正常工作的某个晶体管的类型(指NPN型还是PNP型),以测出()最为方便。
    A.各极间电阻
    B.各极对地电位
    C.各极电流
    D.各极间的电压
    答:——B——
4.[单选题] BJT处于饱和状态的条件是()。
    A.发射结正偏,集电结反偏
    B.发射结正偏,集电结正偏
    C.发射结反偏,集电结正偏
    D.发射结反偏,集电结反偏
    答:————
5.[单选题] 稳压管的稳压区是其工作在()。
    A.正向导通
    B.反向截止
    C.反向击穿
    D.反向饱和
    答:————
6.[单选题] 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中,如静态工作点过高,容易产生()。
    A.饱和失真
    B.截止失真
    C.交越失真
    D.线性失真
    答:————
7.[单选题] 当晶体管工作在截止区时,发射结电压和集电结电压应为()。
    A.前者反偏、后者反偏
    B.前者正偏、后者反偏
    C.前者正偏、后者正偏
    D.前者反偏,后者正偏
    答:————
8.[单选题] 关于BJT的结构特点说法错误的是()。
    A.基区很薄且掺杂浓度很低
    B.发射区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度
    C.基区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度
    D.集电区面积大于发射区面积
    答:————
9.[单选题] PN结加反向电压时,空间电荷区将()。
    A.变窄
    B.不变
    C.变宽
    D.不确定
    答:————
10.[单选题] 当温度升高时,三极管的反向饱和电流ICBO将()。
    A.增大
    B.减小
    C.不变
    D.不确定
    答:————
11.[判断题] PN结在无光照、无外加电压时,结电流为零。
    A.对
    B.错
    答:————
12.[判断题] 半导体中的空穴(相对来说)带正电。
    A.对
    B.错
    答:————
13.[判断题] 二极管的反向电流值愈小,管子的单向导电性愈差。
    A.对
    B.错
    答:————
14.[判断题] BJT三极管内部包含一个PN结。
    A.对
    B.错
    答:————
15.[判断题] 静态工作点选择过高,BJT容易产生截止失真。
    A.对
    B.错
    答:————
16.[判断题] 如果输入信号的幅度过大,即使静态工作点的大小设置合理,也会产生失真。
    A.对
    B.错
    答:————
17.[判断题] 二极管加正向电压截止,加反向电压导通。
    A.对
    B.错
    答:————
18.[判断题] 晶体管的内部放大条件是:发射区重掺杂,基区轻掺杂且宽度很窄,集电极面积大等。
    A.对
    B.错
    答:————
19.[判断题] 集电结处于正偏的BJT,它一定工作在饱和区。
    A.对
    B.错
    答:————
20.[判断题] 温度升高,晶体管输入特性曲线右移。
    A.对
    B.错
    答:————

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