20秋西南交《电力电子技术基础》在线作业一题目及答案
西南交《电力电子技术基础》在线作业一1.[单选题] 使MOSFET开通的驱动电压一般为（）V
无忧答案网答案资料下载，请参考帮助中心说明
A.0-5
B.5-10
C.10-15
D.15-20
答:——C——
2.[单选题] 可在第一和第四象限工作的交流电路是( )
A.三相半波可控变电流电路
B.半相半控桥
C.接有续流二极管的三相半控桥
D.接有续流二极管的单相半波可控变流电路
答:——A——
3.[单选题] 三相半波整流电路带大电感负载时触发脉冲的移相范围为（）
A.0o-90o
B.0o-180o
C.0o-150o
D.0o-121o
答:——A——
4.[单选题] 采用多重化电压源型逆变器的目的,主要是为( )
A.减小输出幅值
B.增大输出幅值
C.减小输出谐波
D.减小输出功率 答案进 ap5u.com南开答案Q761296021
答:————
5.[单选题] 下列器件中，不属于全控型器件的有（）
A.功率二极管
B.IGBT
C.IGCT
D.GTO
答:————
6.[单选题] 有源逆变发生的条件为()
A.要有直流电动势
B.要求晶闸管的控制角大于900
C.直流电动势极性须和晶闸管导通方向一致
D.以上说法均是错误的
答:————
7.[单选题] 无源逆变与有源逆变的区别在于（）接的是负载还是电网
A.直流侧
B.交流侧
C.电源侧
D.负载侧
答:————
8.[单选题] 对于升降压直流斩波器,当其输出电压小于其电源电压时,有( )
A.α无法确定
B.0
C.0<α<0.5
D.以上说法均是错误的
答:————
9.[单选题] 单相半波可控整流电阻性负载电路中,控制角α的最大移相范围是( )
A.90°
B.120°
C.150°
D.180°
答:————
10.[单选题] 有源逆变发生的条件为( )
A.要有直流电动势
B.要求晶闸管的控制角大于900
C.直流电动势极性须和晶闸管导通方向一致
D.以上说法均是错误的
答:————
11.[多选题] 按照开关控制能力，电力电子器件可分为（）
A.不可控器件
B.半空型器件
C.电压控制型器件
D.全控型器件
答:————
12.[多选题] 关于PWM控制的特点下列描述正确的是（）
A.谐波分量少
B.同时调节输出电压与频率
C.开关次数低
D.动态响应好
答:————
13.[多选题] 下列关于功率二极管动态特性中描述正确的有（）
A.外加正向电压时，正向电流对结电容充电
B.外加电压反向时，正向电流立即截至下降至0
C.外加反向电压时，电流对结电容充电
D.外加电压反向，正向电流不能立即降至0
答:————
14.[多选题] 电力电子技术的发展趋势有（）
A.高频化
B.模块化
C.数字化
D.绿色化
答:————
15.[多选题] GCT在导通状态时，具有如下特点（）
A.携带电流能力强
B.携带电流能力弱
C.通态压降低
D.通态压降高
答:————
16.[多选题] 若增大SPWM逆变器的输出电压基波频率，不能采用的控制方法有（）
A.增大三角波幅度
B.增大三角波频率
C.增大正弦调制波频率
D.增大正弦调制波幅度
答:————
17.[多选题] 电力变换的类型有（）
A.交流变直流
B.直流变交流
C.直流变直流
D.交流变交流
答:————
18.[多选题] 晶闸管触发脉冲的参数有（）
A.脉冲幅值
B.脉冲宽度
C.脉冲前沿陡度
D.脉冲输出功率
答:————
19.[多选题] 以下描述中，哪几项不是电流型逆变器中间直流环节贮能元件？（）
A.电容
B.电感
C.蓄电池
D.电动机
答:————
20.[多选题] 无源逆变电路可以输出（）
A.三角波
B.斜波
C.矩形波
D.脉宽调制波
答:————
21.[判断题] 晶闸管的导通条件为承受正向电压并施加门极触发信号。
A.错误
B.正确
答:————
22.[判断题] 电力MOSFET存在二次击穿问题。
A.错误
B.正确
答:————
23.[判断题] 点阻性负载消耗电能，同时也能存储或放出电能。
A.错误
B.正确
答:————
24.[判断题] 将三相桥式全控整流电路中的一组晶闸管用三只二极管代替，就构成了三相桥式半控整流电路。
A.错误
B.正确
答:————
25.[判断题] 单相桥式全控整流电路中，如果把电路中的两个晶闸管换成二极管，就组成了半相桥式半控整流电路。
A.错误
B.正确
答:————
26.[判断题] 在三相交流调压电路中，至少有一相正向晶闸管与另一相反向晶闸管同时导通。
A.错误
B.正确
答:————
27.[判断题] 直流斩波器属于隔离型直直变换器。
A.错误
B.正确
答:————
28.[判断题] 直流斩波器主要是给直流电动机供电。
A.错误
B.正确
答:————
29.[判断题] 相控交交变频电路换流失败时，会造成交流电源的短路。
A.错误
B.正确
答:————
30.[判断题] 晶闸管在正向阳极电压的作用下，一旦门极加入适当的信号，就可使晶闸管由“断态”变为“通态”。
A.错误
B.正确
答:————
31.[判断题] GTO与普通晶闸管的主要不同点在于GTO可用门极控制关断点。
A.错误
B.正确
答:————
32.[判断题] 脉宽调制逆变电路存在开关频率高的缺点。
A.错误
B.正确
答:————
33.[判断题] 电力电子技术可看成是“强电控制弱电”的技术。
A.错误
B.正确
答:————
34.[判断题] GTO的擎住电流比维持电流小。
A.错误
B.正确
答:————
35.[判断题] 功率二极管为半控型器件。
A.错误
B.正确
答:————
36.[判断题] IGBT的开通特性与电力MOSFET完全不同。
A.错误
B.正确
答:————
37.[判断题] 三相半波可控整流电路与三相桥式整流电路相比，要输出相同的Ud，晶闸管承受的正、反向峰值电压较低。
A.错误
B.正确
答:————
38.[判断题] 整流二极管，晶闸管，双向晶闸管及可关断晶闸管均属半控型器件。
A.错误
B.正确
答:————
39.[判断题] 变频调速装置是属于无源逆变的范畴
A.错误
B.正确
答:————
40.[判断题] 半控桥式整流电路可以实现有源逆变。
A.错误
B.正确
答:————
41.[判断题] 在半控桥整流带大电感负载不加续流二极管电路中，电路出故障时会出现失控现象
A.错误
B.正确
答:————
42.[判断题] 双向晶闸管可以认为是一对反并联连接的普通晶闸管的集成。
A.错误
B.正确
答:————
43.[判断题] 单相桥式逆变电路与半桥相比，幅值增大了一倍，谐波成分也增大一倍。
A.错误
B.正确
答:————
44.[判断题] 电力MOSFET是双极性晶体管。
A.错误
B.正确
答:————
45.[判断题] 有源逆变指的是把直流电能转变成交流电能送给负载。
A.错误
B.正确
答:————
46.[判断题] 换相压降也消耗有功功率。
A.错误
B.正确
答:————
47.[判断题] 整流电路的功率因数为电网侧有功功率与视在功率之比。
A.错误
B.正确
答:————
48.[判断题] 为了使三相电流型逆变电路的输出电压波形接近正弦波，负载的电抗越大越好。
A.错误
B.正确
答:————
49.[判断题] 电流型逆变电路的直流侧电源为电压源。
A.错误
B.正确
答:————
50.[判断题] 变流装置其功率因数的高低与电路负载阻抗的性质，无直接关系。
A.错误
B.正确
答:————
无忧答案网附件是答案，核对题目下载
页:
[1]