重庆大学2018年春季微机接口及应用 ( 第3次 )
第3次作业一、应用题（本大题共20分，共 2 小题，每小题 10 分）
1. 请将给出以下数值的8位二进制补码表示的形式。
（1）16 （2）-16
2. 请将以下的二进制数转换为十六进制数。
(1)（1001011101.0100101）2
(2)（1111011100.10000101）2
二、填空题（本大题共10分，共 5 小题，每小题 2 分）
1. MOV AX，00F0H
MOV CL，2
MOV DX，0004H
ROR DX，CL
MOV CX，3
NEXT： ADD AX，DX
LOOP NEXT
程序执行后，AX= ______ H， DX= ______ H， CX= ______ H
2. 完成以下双精度数运算，操作数的符号地址分别为X和Y。
MOV
AX, X
MOV DX, X+2
MOV
CX,Y+2
MOV
BX,Y
ADD
______ ， ______
______
BX,DX
3.
______
4. 以下程序用于比较两个长度为10个字节的字符串string1和string2是否相等，请将程序补充完整。
LEA SI, string1
LEA ______ , string2
______
;DF←0，方向为从低地址到高地址
MOV CX, ______
REPZ ______
J ______ MATCH
……
MATCH: ……. ;显示输出两个字符串相等
5. MOV CX,0
MOV AX,000bH
REPEAT:
TEST AX,0ffffh
JZ EXIT
JNS SHIFT
INC CX
SHIFT:
SHL AX,1
JMP REPEAT
EXIT:
……；return to DOS
该程序实现的功能是 ______ ；
程序执行后, AX= ______ ， CX= ______
三、名词解释题（本大题共15分，共 5 小题，每小题 3 分）
1. 只读存储器、读写存储器
2. 集中式刷新
3. 程序查询方式
4. 闪速（FLASH）存储器及特点
5. A/D转换保持
四、计算题（本大题共40分，共 4 小题，每小题 10 分）
1. 18设某8位A/D转换器的输入电压为0～+5V，求出当输入模拟量为下列值时数字输出的数值（设参考电压为5V）：
（1）1.25V （2）2V （3）2.5V （4）3.75V （5）4V （6）5V
2. 某存储器有16位地址，每个存储单元有8位。回答以下问题：
（1）如果用1K×4位的RAM芯片构成该存储器，需要多少片芯片？
（2）该存储器能存放多少字节的信息？
（3）片选逻辑需要多少位地址？
3. 某8位D/A转换器芯片，输出为0~5V，当CPU分别为80H，40H，10H时，其对应的输出电压各是多少？
4. 某16位计算机主存地址为24位，按字节编址，使用1M×1位的DRAM芯片组成，请问该计算机所允许的最大主存空间是多少？需要用多少片DRAM芯片？若采用异步刷新方式，设存储元刷新的最大间隔不超过4ms，则刷新信号的间隔时间是多少？
五、简答题（本大题共15分，共 3 小题，每小题 5 分）
1. 简述80x86中与数据有关的寻址方式。
2. 采样保持电路可以实现的功能有哪些？
3. 简述I/O指令的组成？
答案：
一、应用题（20分，共 2 题，每小题 10 分）
1.
参考答案：
（1）（16）补 =（0001 0000）
（2）（-16）补=（1111 0000）
解题方案：
评分标准：
2.
参考答案：
（1）（0010 0101 1101.0100 1010）2 =（2 5 D. 4A ）16
（2）（0011 1101 1100.1000 0101）2=（3 D C. 8 5）16
解题方案：
评分标准：
二、填空题（10分，共 5 题，每小题 2 分）
1.
参考答案：
00F3，0001，0000
解题方案：
评分标准：
2.
参考答案：
CX, AX, ADC
解题方案：
评分标准：
3.
参考答案：
解题方案：
评分标准：
4.
参考答案：
DI，CLD，10，cmpsb，z
解题方案：
评分标准：
5.
参考答案：
统计AX中1的个数，0000，0003。
解题方案：
评分标准：
三、名词解释题（15分，共 5 题，每小题 3 分）
1.
参考答案：
只读存储器：存储的内容是固定不变的，只能读出而不能写入的半导体存储器
读写存储器：既能读出又能写入的半导体存储器。
解题方案：
评分标准：
2.
参考答案：
在整个刷新间隔内，前一段时间重复进行读/写周期或维持周期，等到需要进行刷新操作时，便暂停读/写或维持周期，而逐行刷新整个存储器，它适用于高速存储器。
解题方案：
评分标准：
3.
参考答案：
程序查询方式是早期计算机中使用的一种方式。数据在CPU和外围设备之间的传送完全靠计算机程序控制。
解题方案：
评分标准：
4.
参考答案：
闪速存储器（Flash Memory）是一种高密度、非易失性的读/写半导体存储器。
特点：固有的非易失性；廉价的高密度；可直接执行；固态性能。
解题方案：
评分标准：
5.
参考答案：
由于A/D转换需要一定的时间，在每次采样以后，需要把采样电压保持一段时间。
解题方案：
评分标准：
四、计算题（40分，共 4 题，每小题 10 分）
1.
参考答案：
1)00111111 2)01100110 3)01111111 4)10111111 5)11001100 6)11111111
解题方案：
评分标准：
2.
参考答案：
（1）存储器有16位地址，所以容量为64K个存储单元，每个存储单元占8位。因此需要的芯片数=(64K×8)/(1K×4)=64×2=128片。
（2）该存储器能存放64K字节的信息。
（3）存储器在字方向上扩展了64=26倍，因而片选逻辑需要6位地址。存储器共16位地址，而芯片共有1K=1024=210个单元，所以芯片内地址位数为10位，剩下16-10=6位地址正好用于片选逻辑。
解题方案：
评分标准：
3.
参考答案：
80H时 128/256*5V=2.5V
40H时 64/256*5V=1.25V
10H时 16/256*5V=0.3125V
解题方案：
评分标准：
4.
参考答案：
因为该主存地址为24位，按字节编址，所以最大主存空间=224B=16MB。
所需芯片数=(16M×8位)/(1M×1位)=128片。
DRAM芯片的容量为1M×1位，由于芯片内部只有一个位平面，则存储阵列的结构为1K×1K，则存储器刷新一遍至少需要1K次刷新操作。若采用异步刷新方式，则相邻两次刷新的时间间隔为4ms/1K≈3.9μs，所以刷新信号的间隔时间是3.9μs。
解题方案：
评分标准：
五、简答题（15分，共 3 题，每小题 5 分）
1.
参考答案：
要点1.立即寻址方式；2.寄存器寻址方式；3.和内存有关的寻址方式回答至少3种即可。
解题方案：
评分标准：
2.
参考答案：
保持采样信号不变，以便完成A/D 转换；同时对几个模拟量进行采样，以便进行数据处理和测量；减少D/A 转换器输出的不稳定性，从而消除输出电压的峰值及缩短输出值的建立时间；把一个D/A 转换器的输出分配到几个输出点，以保证输出的稳定性。
解题方案：
评分标准：
3.
参考答案：
专用的I/O指令包含操作码、命令码和地址码三部分。
操作码用于区分访存指令和I/O指令；
命令码用于区分I/O操作的种类；
地址码则指明要访问的外设端口地址以及CPU寄存器号。
解题方案：
评分标准：
页:
[1]